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在納米科技與精密制造領(lǐng)域，環(huán)境振動(dòng)已成為制約高精度設(shè)備性能的核心瓶頸。Herz電鏡防振臺憑借其突破性的主動(dòng)隔振技術(shù)，以毫秒級響應(yīng)速度與全頻段振動(dòng)抑制能力，成為全球頂尖實(shí)驗(yàn)室保障設(shè)備穩(wěn)定性的選擇方案。1.核心性能：六自由度全頻段隔振電鏡防振臺...
光學(xué)膜厚儀是一種用于測量薄膜厚度的儀器。它主要基于光學(xué)干涉的原理，可以在不破壞被測物表面的情況下進(jìn)行非接觸式測量。由于其高精度、快速、穩(wěn)定等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子、光電、化學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域中。光學(xué)膜厚儀的最大特點(diǎn)就是其測量精度非常高，一般可達(dá)nanometer級別。同時(shí)，該儀器還具有快速測量、非接觸式測量和測量范圍廣等優(yōu)勢。對于快速測量來說，它通常只需要幾秒鐘甚至更短時(shí)間就可以完成一次測量，而且可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測量，極大地提高了工作效率。對于非接觸式測量來說，這種測量方式避免了...
1.2金屬鍵合對于高亮度垂直LED（high-brightnessverticalLED，HB-VLED）來說，鍵合界面必須具有高熱導(dǎo)和高電導(dǎo)的性能，幸運(yùn)的是大部分金屬材料導(dǎo)熱性能好的同時(shí)導(dǎo)電性能也較好，使金屬鍵合技術(shù)成為目前LED產(chǎn)業(yè)中最常使用的鍵合技術(shù)，即以金屬膜為中間層實(shí)現(xiàn)晶圓對的連接。金屬鍵合技術(shù)提供了高熱導(dǎo)、低電阻、電流分布均勻及光吸收少的鍵合界面，無論是對于AlInGaP紅光LED還是對于InGaN藍(lán)光LED，采用金屬鍵合技術(shù)都能有效提高其熱學(xué)、電學(xué)和光學(xué)性能，因...
0引言發(fā)光二極管（light-emittingdiode，LED）照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世，到20世紀(jì)90年代，人們對LED的研究進(jìn)展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED，照明領(lǐng)域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si，Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs，InP等之后的第...
01引言數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、傳感器和用于人工智能高級計(jì)算中的新興應(yīng)用，對于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級增長。我們比以往任何時(shí)候都更加依賴這些應(yīng)用來確保這個(gè)世界更安全、更高效。在所有這些市場中，硅光子學(xué)(SiPh)在實(shí)現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。因此，開發(fā)能夠經(jīng)濟(jì)高效地?cái)U(kuò)大硅光子產(chǎn)品生產(chǎn)的解決方案比以往任何時(shí)候都更加重要。雖然通過使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施，SiPh的晶圓制造能力已經(jīng)成熟，但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關(guān)鍵瓶...
相較上一代平臺，全新自動(dòng)掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)（IQAlignerNT）產(chǎn)出率和對準(zhǔn)精度提升兩倍，為EVG光刻解決方案帶來了全新應(yīng)用微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體市場晶圓鍵合和光刻設(shè)備LINGXIAN供應(yīng)商EVG集團(tuán)（EVG）近日宣布推出IQAlignerNT，旨在針對大容量XIANJIN封裝應(yīng)用推出的全新自動(dòng)掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機(jī)配備了高強(qiáng)度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點(diǎn)對準(zhǔn)的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。...